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湖州師范學(xué)院黨委宣傳部、新聞中心主辦

Tea Time學(xué)術(shù)活動系列邀請報告(244)

來源:理學(xué)院 發(fā)布日期:2024-09-10

  報告題目:密度泛函理論的半導(dǎo)體帶隙問題及解決方案

  報告人:薛堪豪(華中科技大學(xué))

  時間:9月11日(星期三)15:00-16:00

  地點:理學(xué)院1-401

  報告內(nèi)容:

  半導(dǎo)體電子能帶結(jié)構(gòu)的計算是微電子與光電子學(xué)科關(guān)注的核心問題之一,?;诘谝辉淼拿芏确汉碚摽梢詫崿F(xiàn)無經(jīng)驗參數(shù)的從頭計算,但存在半導(dǎo)體帶隙嚴(yán)重低估的問題,,所以在半導(dǎo)體工業(yè)中尚沒有得到應(yīng)用,。本報告將回顧固體能帶計算的歷史和現(xiàn)狀,深入分析密度泛函理論帶隙問題產(chǎn)生的根源,,并介紹在局域密度近似(LDA)和廣義梯度近似(GGA)計算復(fù)雜度下的各類解決方案,。特別是介紹巴西學(xué)者費雷拉等人提出的DFT-1/2方法,以及我們改進(jìn)后的shell DFT-1/2方法,。作為典型應(yīng)用,,我們還將介紹該方法在銻化物超晶格紅外探測材料以及鹵素鈣鈦礦材料中的最新進(jìn)展。

  報告人簡介:

  薛堪豪,,華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院教授,,國家級青年人才。本科與碩士分別畢業(yè)于清華大學(xué)電子工程系與清華大學(xué)微電子學(xué)研究所,,榮獲2007年清華大學(xué)優(yōu)秀碩士畢業(yè)生,。2010年取得美國科羅拉多大學(xué)博士學(xué)位。博士階段關(guān)于NiO關(guān)聯(lián)電子存儲器的工作被國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)引用,,列為Mott存儲器的一種原型,。在Science, Nature Communications, Physical Review Letters等國際期刊上發(fā)表論文148篇,其中一作,、通訊發(fā)表79篇,。在VLSI、IEDM會議上發(fā)表論文4篇,,其中通訊作者2篇,。主持國家重點研發(fā)計劃課題1項、基金委面上項目2項,。研究領(lǐng)域主要包括半導(dǎo)體能帶計算方法,、基于二氧化鉿的微納電子器件等。2018年提出的shell DFT-1/2半導(dǎo)體能帶計算方法已被WIEN2k、QuantumATK等著名密度泛函軟件包采用,,被Synopsys公司認(rèn)為具有更好的帶隙精度,。Shell DFT-1/2在氧化鎵寬禁帶材料以及III-V超晶格半導(dǎo)體中都取得了優(yōu)異的計算效果。2023年提出了鉿基鐵電成因的七配位理論,。