近日，第36屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）在德國(guó)不來梅成功舉辦。我校副校長(zhǎng)（主持行政日常工作）盛況教授因在“碳化硅功率器件方向的學(xué)術(shù)成就以及在ISPSD會(huì)議組織方面的貢獻(xiàn)”入選ISPSD名人堂（Hall of Fame），成為繼陳星弼院士后第二位獲此殊榮的中國(guó)大陸學(xué)者。

　　作為IEEE旗下的功率半導(dǎo)體旗艦會(huì)議，ISPSD涵蓋了功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路的設(shè)計(jì)、工藝、封裝和應(yīng)用等方向，是功率器件領(lǐng)域最具影響力和規(guī)模最大的國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議，被認(rèn)為是該領(lǐng)域的奧林匹克會(huì)議，三十多年以來一直都是國(guó)際產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界爭(zhēng)相發(fā)表重要成果的舞臺(tái)。為了表彰在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域做出杰出貢獻(xiàn)的研究者，會(huì)議從2018年開始設(shè)立名人堂（Hall of Fame），除首屆名人堂以外，每年僅有2至3名入選者。

　　盛況教授于2009年入選教育部“長(zhǎng)江學(xué)者獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃”特聘教授，2012年獲國(guó)家杰出青年科學(xué)基金資助，2013年入選國(guó)家“萬人計(jì)劃”科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才。其研究方向涵蓋了功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用等多個(gè)領(lǐng)域，他曾擔(dān)任2019年第31屆ISPSD大會(huì)主席，是該會(huì)議成立30年以來首次在中國(guó)大陸舉辦，此后他擔(dān)任ISPSD咨詢委員會(huì)委員和IEEE Transactions on Electron Devices等期刊編委，為提高中國(guó)在國(guó)際功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的聲譽(yù)和影響力發(fā)揮了重要作用。同時(shí)，在國(guó)內(nèi)他還擔(dān)任科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料總體專家組專家、若干全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員。曾獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)和中國(guó)僑界貢獻(xiàn)獎(jiǎng)等榮譽(yù)。

　　盛況教授在頂級(jí)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議摘得桂冠，擴(kuò)大了中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域在國(guó)際舞臺(tái)上的影響，同時(shí)也勉勵(lì)后來的科研人員為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展做出更多更大的貢獻(xiàn)，讓全球業(yè)界同仁聽到更多來自中國(guó)的聲音。